Šviesos emisijos nitridiniuose puslaidininkiuose stiprinimas įterpiant borą, gerinantį gardelių suderinamumą

III grupės nitridinių puslaidininkių heterodarinių spinduliuotės efektyvumas bus didinamas įvedant borą ir tuo siekiant geresnio gardelės sutapimo heterosandūrose. BGaN epitaksiniai sluoksniai ir heterodariniai bus auginami, naudojant metaloorganinių junginių cheminį nusodinimą iš dujinės fazės (MOCVD). Metalorganinis boro šaltinis bus instaliuotas į MOCVD reaktorių, šiuo metu naudojamą kitų III grupės nitridų heterodarinių auginimui. Detalūs procesų, įtakojančių spinduliuotės efektyvumą (nespindulinė rekombinacija dislokacijose ir taškiniuose defektuose, krūvininkų lokalizacija, vidinis elektrinis laukas ir kvantinio suspraudimo Štarko efektas, fazinės erdvės užpildymas ir jo įtaka spindulinės rekombinacijos spartai, nespinduliniai Ožė procesai, ir kt.), tyrimai bus atliekami naudojant fotoliuminescencinės spektroskopijos ir netiesinės optikos metodikas. Eksperimentiniai tyrimai bus papildomi krūvininkų dinamikos modeliavimu.