Radiaciniai nanoklasteriai Si ir GaN

Šis projektas yra skirtas išnagrinėti radiacinių nanoklasterių formavimąsi Si ir GaN medžiagose, palyginant klasterių tiesioginio sudarymo hadronų ir sunkiųjų jonų (Au, Ag) spinduliuotėmis ypatumus kristaluose, turinčiuose paviršiaus centruotą kubinę (Si) ir tankios sanklodos heksagoninę (GaN) gardeles. Šio projekto tikslas yra radiacinių nanoklasterių evoliucijos, transformacijų ir terminio valdymo technologinių pagrindų sukūrimas. Tikimasi, kad šių tyrimų pagrindu pavyks sukurti nanoklasterių formavimo kontrolės metodiką ir įrangą.